技術背景

技術基于中科院技術團隊加優秀海外技術專家組成,擁有雄厚的測試及分析實驗室資源以及優秀人才資源;同時團隊在本領域行業深耕近十年,從芯片設計、制造工藝、封測、可靠性、應用等全鏈條貫通,擁有較強的產業鏈上下游和市場資源。







全參數測試平臺


擁有國內一流的功率器件全參數測試平臺,涵蓋IGBT、快恢復二極管、MOSFET、雙極晶體管等器件,測試能力包括靜態、動態、短路耐量、安全工作區、雪崩、熱阻、柵電荷與電容等項目。




可靠性測試分析平臺


擁有國內領先的功率半導體器件可靠性測試與分析平臺,涵蓋各種耐壓范圍的IGBT、FRD以及功率MOSFET等器件,測試能力包括高溫反偏(HTRB)、高溫柵偏(HTGB)、恒溫恒濕反偏(H3TRB)、溫度循環(TC)、功率循環(PC)、高溫存儲(HTS)與靜電放電敏感度(ESD)等項目。



失效分析FA)平臺


擁有國內一流的失效分析(FA)平臺,包括:微光顯微鏡(EMMI )、超聲波檢測設備(SAM、掃描式電子顯微鏡(SEM)、X射線探測器(EDX)、芯片開封機Decap、斷面結構分析(Cross-section Analysis)等。



Marching Power

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